CM800DY-24S Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CM800DY-24S 📄📄

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5355 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 790 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.95 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 200 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 16000 pF

Encapsulados: MODULE

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Búsqueda de reemplazo de CM800DY-24S IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

CM800DY-24S datasheet

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cm800dzb-34n.pdf pdf_icon

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800DZB-34N HIGH POWER SWITCHING USE 4th-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800DZB-34N IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 1700V Insulated Type 2-element in a Pack AISiC Baseplate T

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cm800dz-34h.pdf pdf_icon

CM800DZ-34H HIGH POWER SWITHCHING USE INSULATED TYPE 3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules CM800DZ-34H I 800 A C V 1700 V CES

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cm800e2c-66h.pdf pdf_icon

MITSUBISHI HVIGBT MODULES CM800E2C-66H HIGH POWER SWITCHING USE 2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) Modules INSULATED TYPE CM800E2C-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-elements in a pack (for brake) AISiC base plate APPLICA