CM800HB-50H Todos los transistores

 

CM800HB-50H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM800HB-50H
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 800 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 7.5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 2000 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 13200 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 5400 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM800HB-50H Datasheet (PDF)

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CM800HB-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-50HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-50H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch

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CM800HB-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch

 8.1. Size:109K  1
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CM800HB-50H

 8.2. Size:178K  1
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CM800HB-50H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HC-66H IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction

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History: FGD3245G2-F085V

 

 
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