CM800HB-50H Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: CM800HB-50H
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10400 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 2500 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 800 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.8 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 2000 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 13200 pF
Тип корпуса: MODULE
- подбор IGBT транзистора по параметрам
CM800HB-50H Datasheet (PDF)
cm800hb-50h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-50HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-50H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 2500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm800hb-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HB-66HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HB-66H IC...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch
cm800hc-66h.pdf

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM800HC-66HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM800HC-66H IC ...................................................................800A VCES ....................................................... 3300V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICATIONTraction
Другие IGBT... CM800DY-24S , CM800DZ-34H , CM800DZB-34N , CM800E2C-66H , CM800E2Z-66H , CM800E6C-66H , CM800HA-50H , CM800HA-66H , IRGP4063 , CM800HB-66H , CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 .
History: IXBR42N170 | CM600DXL-24S | CM100RL-24NF | CM50YE13-12H | DM2G150SH6NE | IXYK100N120C3 | MMG200D120B6UC
History: IXBR42N170 | CM600DXL-24S | CM100RL-24NF | CM50YE13-12H | DM2G150SH6NE | IXYK100N120C3 | MMG200D120B6UC



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n2222 data sheet | irf3205 datasheet | oc71 | njw0302g | 2n3904 transistor equivalent | 2sc2312 | bu406 datasheet | irfb7437