CM900HC-90H Todos los transistores

 

CM900HC-90H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CM900HC-90H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 11900 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 4500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 1200 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12000 pF
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

CM900HC-90H Datasheet (PDF)

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CM900HC-90H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HC-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HC-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAPPLICA

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CM900HC-90H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HG-90HHIGH POWER SWITCHING USE3rd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HG-90H IC ..................................................................900 A VCES ...................................................... 4500 V High Insulated Type 1-element in a Pack AISiC BaseplateAP

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CM900HC-90H

MITSUBISHI HVIGBT MODULESCM900HB-90HHIGH POWER SWITCHING USE2nd-Version HVIGBT (High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor) ModulesINSULATED TYPECM900HB-90H IC...................................................................900A VCES ....................................................... 4500V Insulated Type 1-element in a packAPPLICATIONInverters, Converters, DC ch

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CM900HC-90H

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History: SIW50N65G2H2G | IKQ100N60TA | MG17200D-BN4MM | VS-GB50LA120UX | APT30GT60BRD | IXGC16N60B2

 

 
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