CM900HC-90H - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.

   Наименование: CM900HC-90H
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc), W: 11900
   Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер |Vce|, V: 4500
   Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор |Vge|, V: 20
   Максимальный постоянный ток коллектора |Ic| @25℃, A: 900
   Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое |VCE(sat)|, V: 3.45
   Максимальная температура перехода (Tj), ℃: 150
   Время нарастания типовое (tr), nS: 1200
   Емкость коллектора типовая (Cc), pf: 12000
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для CM900HC-90H

 

 

CM900HC-90H Datasheet (PDF)

No PDF!

Другие IGBT... CM800E6C-66H , CM800HA-50H , CM800HA-66H , CM800HB-50H , CM800HB-66H , CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , GT50JR22 , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 .