DF1000R17IE4 Todos los transistores

 

DF1000R17IE4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF1000R17IE4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1390 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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Principales características: DF1000R17IE4

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DF1000R17IE4

DF1000R17IE4 PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter

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DF1000R17IE4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul und NTC PrimePACK 3 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hilfsumr

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DF1000R17IE4

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DF1000R17IE4

DF100R07W1H5FP_B54 EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP 5 H5 und CoolSiC Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EasyPACK module with TRENCHSTOP 5 H5 and CoolSiC diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material V = 650V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar appl

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