Справочник IGBT. DF1000R17IE4

 

DF1000R17IE4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF1000R17IE4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1390 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для DF1000R17IE4

 

 

DF1000R17IE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:571K  infineon
df1000r17ie4.pdf

DF1000R17IE4
DF1000R17IE4

DF1000R17IE4PrimePACK3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled DiodePrimePACK3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diodeV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMPotentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter

 0.1. Size:680K  infineon
df1000r17ie4d-b2.pdf

DF1000R17IE4
DF1000R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 Modul und NTCPrimePACK3 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hilfsumr

 0.2. Size:876K  infineon
df1000r17ie4d b2.pdf

DF1000R17IE4
DF1000R17IE4

/ Technical InformationIGBT-DF1000R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK3 and NTCPrimePACK3 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 1000A / I = 2000AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

 9.1. Size:699K  infineon
df100r07w1h5fp-b54.pdf

DF1000R17IE4
DF1000R17IE4

DF100R07W1H5FP_B54EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP 5 H5 und CoolSiC Diode und PressFIT / bereits aufgetragenemThermal Interface MaterialEasyPACK module with TRENCHSTOP 5 H5 and CoolSiC diode and PressFIT / pre-applied ThermalInterface MaterialV = 650VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar appl

 9.2. Size:720K  infineon
df100r07w1h5fp-b53.pdf

DF1000R17IE4
DF1000R17IE4

DF100R07W1H5FP_B53EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP 5 H5 und CoolSiC Diode und PressFIT / bereits aufgetragenemThermal Interface MaterialEasyPACK module with TRENCHSTOP 5 H5 and CoolSiC diode and PressFIT / pre-applied ThermalInterface MaterialV = 650VCESI = 50A / I = 100AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar appl

 9.3. Size:167K  solitron
sdf100na40.pdf

DF1000R17IE4

Другие IGBT... CM800HB-50H , CM800HB-66H , CM800HC-66H , CM900DUC-24S , CM900HB-90H , CM900HC-90H , CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , FGD4536 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 .

 

 
Back to Top