DF1000R17IE4 datasheet, аналоги, основные параметры
Наименование: DF1000R17IE4 📄📄
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 6250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 1390 A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Тип корпуса: MODULE
📄📄 Копировать
Аналог (замена) для DF1000R17IE4
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
DF1000R17IE4 даташит
df1000r17ie4.pdf
DF1000R17IE4 PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter
df1000r17ie4d-b2.pdf
Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul und NTC PrimePACK 3 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hilfsumr
df100r07w1h5fp-b54.pdf
DF100R07W1H5FP_B54 EasyPACK Modul mit TRENCHSTOP 5 H5 und CoolSiC Diode und PressFIT / bereits aufgetragenem Thermal Interface Material EasyPACK module with TRENCHSTOP 5 H5 and CoolSiC diode and PressFIT / pre-applied Thermal Interface Material V = 650V CES I = 50A / I = 100A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar appl
Другие IGBT... CM800HB-50H, CM800HB-66H, CM800HC-66H, CM900DUC-24S, CM900HB-90H, CM900HC-90H, CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, FGH60N60SMD, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, DF1400R12IP4D, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
tip32a | p75nf75 mosfet equivalent | irfpe50 | tip50 | transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40






