DF1000R17IE4D_B2 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF1000R17IE4D_B2  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 6250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 1390 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS

Encapsulados: MODULE

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DF1000R17IE4D_B2 datasheet

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DF1000R17IE4D_B2

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DF1000R17IE4D_B2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF1000R17IE4D_B2 IGBT-modules PrimePACK 3 Modul und NTC PrimePACK 3 module and NTC Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hilfsumr

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DF1000R17IE4D_B2

DF1000R17IE4 PrimePACK 3 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode PrimePACK 3 module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled diode V = 1700V CES I = 1000A / I = 2000A C nom CRM Potentielle Anwendungen Potential Applications 3-Level-Applikationen 3-level-applications Chopper-Anwendungen Chopper applications Hochleistungsumrichter

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