DF160R12W2H3F_B11 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF160R12W2H3F_B11  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DF160R12W2H3F_B11 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DF160R12W2H3F_B11 datasheet

 0.1. Size:987K  infineon
 df160r12w2h3f b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3F_B11

 2.1. Size:991K  infineon
 df160r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3F_B11

/ Technical Information IGBT- DF160R12W2H3_B11 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 160A / I = 320A C nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB

Otros transistores... CM900HG-90H, CMH1200DC-34S, DF1000R17IE4, DF1000R17IE4D_B2, DF120R12W2H3_B27, DF1400R12IP4D, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, GT30J124, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4