DF160R12W2H3F_B11 - аналоги и даташиты транзистора IGBT

 

DF160R12W2H3F_B11 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование: DF160R12W2H3F_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF160R12W2H3F_B11

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF160R12W2H3F_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:987K  infineon
 df160r12w2h3f b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3F_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3F_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses thinQ

 2.1. Size:991K  infineon
 df160r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3F_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB

Другие IGBT... CM900HG-90H , CMH1200DC-34S , DF1000R17IE4 , DF1000R17IE4D_B2 , DF120R12W2H3_B27 , DF1400R12IP4D , DF150R12RT4 , DF160R12W2H3_B11 , FGH60N60SMD , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D , DF650R17IE4 .

History: IXGT30N60C2 | CT25ASJ-8 | SKM50GDL063DL | CM75DY-28H | CT20TM-8 | SKM150GB173D

 

 
Back to Top

 


 
.