Справочник IGBT. DF160R12W2H3F_B11

 

DF160R12W2H3F_B11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF160R12W2H3F_B11
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 50 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 10 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

DF160R12W2H3F_B11 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:987K  infineon
 df160r12w2h3f b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3F_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3F_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features IGBT H3 High Speed IGBT H3 Low Switching Losses thinQ

 2.1. Size:991K  infineon
 df160r12w2h3 b11.pdf pdf_icon

DF160R12W2H3F_B11

/ Technical InformationIGBT-DF160R12W2H3_B11IGBT-modules / Preliminary DataV = 1200VCESI = 160A / I = 320AC nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGB

Другие IGBT... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: TP015N120CA | JNG40T65HYU1 | IKW40N65F5 | SPT40N120F1CT8TL | IXYH40N65C3H1 | CM300DU-12F | RGTH00TS65

 

 
Back to Top

 


 
.