DF200R12KE3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF200R12KE3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 295 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Encapsulados: MODULE

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DF200R12KE3 datasheet

 ..1. Size:166K  infineon
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DF200R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module DF200R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 200 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 295 A Periodischer Kollektor Spitzenst

 ..2. Size:164K  eupec
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DF200R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module DF200R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 200 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 295 A Periodischer Kollektor Spitzenst

 6.1. Size:1029K  infineon
 df200r12pt4 b6.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical Information IGBT- DF200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 / IGBT4 and diode and NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C

 6.2. Size:945K  infineon
 df200r12w1h3 b27.pdf pdf_icon

DF200R12KE3

/ Technical Information IGBT- DF200R12W1H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al

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