DF200R12PT4_B6 Todos los transistores

 

DF200R12PT4_B6 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF200R12PT4_B6
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1100 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.75 V @25℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 35 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF200R12PT4_B6 PDF specs

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF200R12PT4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled Diode und NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC V = 1200V CES I = 200A / I = 400A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Appli... See More ⇒

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/ Technical Information IGBT- DF200R12W1H3_B27 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 30A / I = 60A C nom CRM Typical Applications Solar Applications Electrical Features Low Switching Losses Mechanical Features Al ... See More ⇒

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Technische Information / technical information IGBT-Module DF200R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 200 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 295 A Periodischer Kollektor Spitzenst... See More ⇒

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