DF300R12KE3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF300R12KE3  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1470 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 480 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS

Encapsulados: MODULE

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DF300R12KE3 datasheet

 ..1. Size:167K  infineon
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DF300R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module DF300R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 300 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 480 A Periodischer Kollektor Spitzenst

 ..2. Size:165K  eupec
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DF300R12KE3

Technische Information / technical information IGBT-Module DF300R12KE3 IGBT-Modules H chstzul ssige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung Tvj= 25 C VCES 1200 V collector emitter voltage 300 A Kollektor Dauergleichstrom Tc= 80 C IC, nom DC collector current Tc= 25 C IC 480 A Periodischer Kollektor Spitzenst

 8.1. Size:1042K  infineon
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DF300R12KE3

/ Technical Information IGBT- DF300R07PE4_B6 IGBT-modules EconoPACK 4 / IGBT4 NTC EconoPACK 4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / Preliminary Data V = 650V CES I = 300A / I = 600A C nom CRM Typical Applications

Otros transistores... DF1400R12IP4D, DF150R12RT4, DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, FGA25N120ANTD, DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, DF650R17IE4D_B2, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, DF900R12IP4D