DF300R12KE3 Todos los transistores

 

DF300R12KE3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF300R12KE3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1470 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 480 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de DF300R12KE3 - IGBT

 

DF300R12KE3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:167K  infineon
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DF300R12KE3
DF300R12KE3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF300R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage300 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 480 APeriodischer Kollektor Spitzenst

 ..2. Size:165K  eupec
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DF300R12KE3
DF300R12KE3

Technische Information / technical informationIGBT-ModuleDF300R12KE3IGBT-ModulesHchstzulssige Werte / maximum rated valuesElektrische Eigenschaften / electrical propertiesKollektor Emitter SperrspannungTvj= 25C VCES 1200 Vcollector emitter voltage300 AKollektor Dauergleichstrom Tc= 80C IC, nomDC collector current Tc= 25C IC 480 APeriodischer Kollektor Spitzenst

 8.1. Size:1042K  infineon
df300r07pe4 b6.pdf

DF300R12KE3
DF300R12KE3

/ Technical InformationIGBT-DF300R07PE4_B6IGBT-modulesEconoPACK4 /IGBT4 NTCEconoPACK4 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled Diode and NTC / Preliminary DataV = 650VCESI = 300A / I = 600AC nom CRM Typical Applications

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