DF600R12IP4D Todos los transistores

 

DF600R12IP4D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF600R12IP4D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3350 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DF600R12IP4D PDF specs

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DF600R12IP4D

/ Technical Information IGBT- DF600R12IP4D IGBT-modules PrimePACK 2 / IGBT4 PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary Data V = 1200V CES I = 600A / I = 1200A C nom CRM Typical Applications ... See More ⇒

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