DF600R12IP4D Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF600R12IP4D  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3350 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS

Encapsulados: MODULE

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DF600R12IP4D datasheet

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DF600R12IP4D

/ Technical Information IGBT- DF600R12IP4D IGBT-modules PrimePACK 2 / IGBT4 PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary Data V = 1200V CES I = 600A / I = 1200A C nom CRM Typical Applications

Otros transistores... DF160R12W2H3_B11, DF160R12W2H3F_B11, DF200R12KE3, DF200R12PT4_B6, DF200R12W1H3_B27, DF300R07PE4_B6, DF300R12KE3, DF400R12KE3, FGA60N65SMD, DF650R17IE4, DF650R17IE4D_B2, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, DF900R12IP4D, DF900R12IP4DV, DIM1000ECM33-TL