DF600R12IP4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF600R12IP4D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF600R12IP4D IGBT
DF600R12IP4D Datasheet (PDF)
df600r12ip4d.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF600R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 /IGBT4PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary DataV = 1200VCESI = 600A / I = 1200AC nom CRM Typical Applications
Otros transistores... DF160R12W2H3_B11 , DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , BT40T60ANF , DF650R17IE4 , DF650R17IE4D_B2 , DF75R12W1H4F_B11 , DF80R12W2H3_B11 , DF80R12W2H3F_B11 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , DIM1000ECM33-TL .
Liste
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IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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