DF600R12IP4D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF600R12IP4D
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 3350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 4400 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF600R12IP4D - IGBT
DF600R12IP4D Datasheet (PDF)
df600r12ip4d.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF600R12IP4DIGBT-modulesPrimePACK2 /IGBT4PrimePACK2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode / Preliminary DataV = 1200VCESI = 600A / I = 1200AC nom CRM Typical Applications
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Liste
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