DF650R17IE4 Todos los transistores

 

DF650R17IE4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DF650R17IE4
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 4015 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 930 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.4 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 90 nS
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 7000 nC
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DF650R17IE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1680K  infineon
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DF650R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

 0.1. Size:1940K  infineon
 df650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

DF650R17IE4

/ Technical InformationIGBT-DF650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 and NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IGC193T120T8RM | IGP30N60T | DIM200PKM33-F | DIM1000XSM33-TS001 | DG75X07T2L | DIM1500ASM33-TS001 | DGW60N65BTH

 

 
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