Справочник IGBT. DF650R17IE4

 

DF650R17IE4 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: DF650R17IE4
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4015 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 930 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для DF650R17IE4

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

DF650R17IE4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1680K  infineon
 df650r17ie4.pdf pdf_icon

DF650R17IE4

Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu

 0.1. Size:1940K  infineon
 df650r17ie4d b2.pdf pdf_icon

DF650R17IE4

/ Technical InformationIGBT-DF650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 and NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications

Другие IGBT... DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D , IRG7IC28U , DF650R17IE4D_B2 , DF75R12W1H4F_B11 , DF80R12W2H3_B11 , DF80R12W2H3F_B11 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , DIM1000ECM33-TL , DIM1000ECM33-TS .

 

 
Back to Top

 


 
.