DF650R17IE4 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DF650R17IE4
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4015 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 930 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 90 nS
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DF650R17IE4
DF650R17IE4 Datasheet (PDF)
df650r17ie4.pdf
Technische Information / Technical InformationIGBT-ModuleDF650R17IE4IGBT-modulesPrimePACK2 Modul und NTCPrimePACK2 module and NTCVorlufige Daten / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRMTypische Anwendungen Typical Applications 3-Level-Applikationen 3-Level-Applications Chopper-Anwendungen Chopper Applications Hochleistungsu
df650r17ie4d b2.pdf
/ Technical InformationIGBT-DF650R17IE4D_B2IGBT-modulesPrimePACK2 and NTCPrimePACK2 module and NTC / Preliminary DataV = 1700VCESI = 650A / I = 1300AC nom CRM Typical Applications 3 3-Level-Applications
Другие IGBT... DF160R12W2H3F_B11 , DF200R12KE3 , DF200R12PT4_B6 , DF200R12W1H3_B27 , DF300R07PE4_B6 , DF300R12KE3 , DF400R12KE3 , DF600R12IP4D , IHW20N120R3 , DF650R17IE4D_B2 , DF75R12W1H4F_B11 , DF80R12W2H3_B11 , DF80R12W2H3F_B11 , DF900R12IP4D , DF900R12IP4DV , DIM1000ECM33-TL , DIM1000ECM33-TS .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2