DF80R12W2H3_B11 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DF80R12W2H3_B11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DF80R12W2H3_B11 IGBT
DF80R12W2H3_B11 PDF specs
df80r12w2h3 b11.pdf
/ Technical Information IGBT- DF80R12W2H3_B11 IGBT-modules / Preliminary Data V = 1200V CES I = 80A / I = 160A C nom CRM Typical Applications Solar Applications UPS UPS Systems Electrical Features IGBT ... See More ⇒
df80r12w2h3f-b11.pdf
DF80R12W2H3F_B11 EasyPACK Modul mit schnellem Trench/Feldstopp High-Speed 3 IGBT und SiC Diode und PressFIT / NTC EasyPACK module with fast Trench/Fieldstop High-Speed 3 IGBT and SiC diode and PressFIT / NTC V = 1200V CES I = 80A / I = 160A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications Solar Anwendungen Solar applications Elektrische Eigenschaften Electrical Features ... See More ⇒
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Liste
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