DF900R12IP4DV Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DF900R12IP4DV  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5100 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 900 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.7 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 140 nS

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de DF900R12IP4DV IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

DF900R12IP4DV datasheet

 ..1. Size:1763K  infineon
 df900r12ip4dv.pdf pdf_icon

DF900R12IP4DV

 2.1. Size:1765K  infineon
 df900r12ip4d.pdf pdf_icon

DF900R12IP4DV

Technische Information / Technical Information IGBT-Module DF900R12IP4D IGBT-modules PrimePACK 2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4, gr erer Emitter Controlled 4 Diode PrimePACK 2 module with Trench/Fieldstop IGBT4, enlarged Emitter Controlled 4 diode Vorl ufige Daten / Preliminary Data V = 1200V CES I = 900A / I = 1800A C nom CRM Typische Anwendungen Typical Applications

Otros transistores... DF400R12KE3, DF600R12IP4D, DF650R17IE4, DF650R17IE4D_B2, DF75R12W1H4F_B11, DF80R12W2H3_B11, DF80R12W2H3F_B11, DF900R12IP4D, JT075N065WED, DIM1000ECM33-TL, DIM1000ECM33-TS, DIM1000NSM33-TL, DIM1000NSM33-TS, DIM1000XSM33-TL001, DIM1000XSM33-TS001, DIM100PHM33-F, DIM1200ASM45-TS