DIM200PLM33-F Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DIM200PLM33-F  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 3300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 225 nS

Encapsulados: MODULE

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DIM200PLM33-F datasheet

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DIM200PLM33-F

DIM200PLM33-F000 IGBT Chopper Module Replaces DS5864-2 DS5864-3 October 2011 (LN28812) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.8V High Thermal Cycling Capability IC (max) 200A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 400A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminals Lead F

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DIM200PLM33-F

DIM200PHM33-F000 Half Bridge IGBT Module Replaces DS5606-4 DS5606-5 October 2011 (LN28814) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.8V High Thermal Cycling Capability IC (max) 200A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 400A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminals Le

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DIM200PLM33-F

DIM200PKM33-F000 IGBT Chopper Module Replaces DS5865-2 DS5865-3 October 2011 (LN28813) FEATURES KEY PARAMETERS 10 s Short Circuit Withstand VCES 3300V VCE(sat) * (typ) 2.8V High Thermal Cycling Capability IC (max) 200A Soft Punch Through Silicon IC(PK) (max) 400A Isolated AlSiC Base with AlN Substrates * Measured at the auxiliary terminals Lead F

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