DIM600DDS12-A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DIM600DDS12-A
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 5208
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 600
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.2
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6.5
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 180
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 6000
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de DIM600DDS12-A - IGBT
DIM600DDS12-A Datasheet (PDF)
dim600dds12-a.pdf
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dim600ddm17-a.pdf
DIM600DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5596-2 DS5596-3 December 2013 (LN31169) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57 IC(PK) (ma
dim600dcm17-a.pdf
DIM600DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5491-4.2 DS5491-5 March 2011 (LN26753) FEATURES KEY PARAMETERS 0.5286 x O70.216 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V 0.2 High Thermal Cycling Capability screwing depth40IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.253IC(PK) (max) 1200A Isolated AlSiC Base Wi
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Liste
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