DIM600DDS12-A Todos los transistores

 

DIM600DDS12-A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DIM600DDS12-A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

DIM600DDS12-A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:483K  dynex
dim600dds12-a.pdf pdf_icon

DIM600DDS12-A

DIM600DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5868-2 DS5868-3 March 2014 (LN31354) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57 IC(PK) (max)

 6.1. Size:423K  dynex
dim600ddm17-a.pdf pdf_icon

DIM600DDS12-A

DIM600DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5596-2 DS5596-3 December 2013 (LN31169) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57 IC(PK) (ma

 7.1. Size:429K  dynex
dim600dcm17-a.pdf pdf_icon

DIM600DDS12-A

DIM600DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5491-4.2 DS5491-5 March 2011 (LN26753) FEATURES KEY PARAMETERS 0.5286 x O70.216 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V 0.2 High Thermal Cycling Capability screwing depth40IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.253IC(PK) (max) 1200A Isolated AlSiC Base Wi

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