DIM600DDS12-A Todos los transistores

 

DIM600DDS12-A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DIM600DDS12-A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 5208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 180 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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DIM600DDS12-A PDF specs

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DIM600DDS12-A

DIM600DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5868-2 DS5868-3 March 2014 (LN31354) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 IC(PK) (max) ... See More ⇒

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DIM600DDS12-A

DIM600DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5596-2 DS5596-3 December 2013 (LN31169) FEATURES KEY PARAMETERS 28 0.5 6 x O7 0.2 10 s Short Circuit Withstand 16 0.2 18 VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth 0.2 0.2 40 44 IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.2 53 57 IC(PK) (ma... See More ⇒

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DIM600DDS12-A

DIM600DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5491-4.2 DS5491-5 March 2011 (LN26753) FEATURES KEY PARAMETERS 0.5 28 6 x O7 0.2 16 10 s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V 0.2 High Thermal Cycling Capability screwing depth 40 IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 53 IC(PK) (max) 1200A Isolated AlSiC Base Wi... See More ⇒

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