DIM600DDS12-A Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: DIM600DDS12-A
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 5208 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 600 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 180 nS
Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 6000 nC
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для DIM600DDS12-A
DIM600DDS12-A Datasheet (PDF)
dim600dds12-a.pdf

DIM600DDS12-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5868-2 DS5868-3 March 2014 (LN31354) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1200V VCE(sat) * (typ) 2.2 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57 IC(PK) (max)
dim600ddm17-a.pdf

DIM600DDM17-A000 Dual Switch IGBT Module Replaces DS5596-2 DS5596-3 December 2013 (LN31169) FEATURES KEY PARAMETERS 280.56 x O70.2 10s Short Circuit Withstand 16 0.218VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7 V High Thermal Cycling Capability screwing depth0.2 0.240 44IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.2 0.253 57 IC(PK) (ma
dim600dcm17-a.pdf

DIM600DCM17-A000 IGBT Chopper Module Replaces DS5491-4.2 DS5491-5 March 2011 (LN26753) FEATURES KEY PARAMETERS 0.5286 x O70.216 10s Short Circuit Withstand VCES 1700V VCE(sat) * (typ) 2.7V 0.2 High Thermal Cycling Capability screwing depth40IC (max) 600A max 8 Non Punch Through Silicon 0.253IC(PK) (max) 1200A Isolated AlSiC Base Wi
Другие IGBT... DIM400XCM45-TS , DIM400XCM45-TS001 , DIM500GCM33-TL , DIM500GCM33-TS , DIM500GDM33-TL , DIM500GDM33-TS , DIM600DCM17-A , DIM600DDM17-A , XNF15N60T , DIM800DCM12-A , DIM800DCM17-A , DIM800DCS12-A , DIM800DDM12-A , DIM800DDM17-A , DIM800DDS12-A , DIM800ECM33-F , DIM800FSM12-A .
History: BSM50GB100D | FGH75T65SQDT | IXGT50N60B | 1MB08-120
History: BSM50GB100D | FGH75T65SQDT | IXGT50N60B | 1MB08-120



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
k2611 | c1740 transistor | c828 transistor | c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488