MG06300D-BN4MM Todos los transistores

 

MG06300D-BN4MM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG06300D-BN4MM
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de MG06300D-BN4MM IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MG06300D-BN4MM PDF specs

 ..1. Size:1367K  littelfuse
 mg06300d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06300D-BN4MM

Power Module 600V 300A IGBT Module RoHS MG06300D-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Agency Approvals High frequency Motion/se... See More ⇒

Otros transistores... DIM800XSM33-F , DIM800XSM45-TS , DIM800XSM45-TS001 , MBN400GR12A , MBN600GR12A , MG06100S-BR1MM , MG06150S-BN4MM , MG06200S-BN4MM , GT30F124 , MG06400D-BN1MM , MG06400D-BN4MM , MG06600WB-BN4MM , MG100Q2YS40 , MG100Q2YS50 , MG100Q2YS51 , MG100Q2YS65H , MG10Q6ES50A .

 

 
Back to Top

 


 
.