MG06300D-BN4MM Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG06300D-BN4MM  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 940 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de MG06300D-BN4MM IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

MG06300D-BN4MM datasheet

 ..1. Size:1367K  littelfuse
mg06300d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG06300D-BN4MM

Power Module 600V 300A IGBT Module RoHS MG06300D-BN4MM Features High short circuit Free wheeling diodes capability, self limiting with fast and soft reverse short circuit current recovery VCE(sat) with positive Low switching losses temperature coefficient Fast switching and short tail current Applications Agency Approvals High frequency Motion/se

Otros transistores... DIM800XSM33-F, DIM800XSM45-TS, DIM800XSM45-TS001, MBN400GR12A, MBN600GR12A, MG06100S-BR1MM, MG06150S-BN4MM, MG06200S-BN4MM, GT30F124, MG06400D-BN1MM, MG06400D-BN4MM, MG06600WB-BN4MM, MG100Q2YS40, MG100Q2YS50, MG100Q2YS51, MG100Q2YS65H, MG10Q6ES50A