MG150J2YS50 Todos los transistores

 

MG150J2YS50 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG150J2YS50

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 780 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 150 nS

Encapsulados: MODULE

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MG150J2YS50 datasheet

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MG150J2YS50

MG150J2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG150J2YS50 Unit mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case High input impedance Includes a complete half bridge in one package Enhancement-mode High speed t = 0.30 s (Max) (I = 150A) f C t = 0.15 s (Max) (I = 150A) rr F Low saturation volta

 8.1. Size:291K  toshiba
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MG150J2YS50

MG150J7KS60 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG150J7KS60 (600V/150A 7in1) High Power Switching Applications Motor Control Applications Integrates inverter and brake power circuit into a single package The electrodes are isolated from case. Low thermal resistance VCE (sat) = 1.6 V (typ.) Equivalent Circuit P 14 3 7 11 15 4 8 12 U B V W 16 17

 8.2. Size:102K  toshiba
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MG150J2YS50

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MG150J2YS50

MMG150J120UZ6TN 1200V 150A IGBT Module February 2017 Version 1 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES IGBT3 Chip(Trench+Field Stop technology) Low switching losses VCE(sat) with positive temperature coefficient Fast switching and short tail current Popular SOT-227 Package APPLICATIONS AC motor control Motion/servo control Inverter and power supplies IGBT A

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