MG15J6ES40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG15J6ES40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 80 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 15 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MG15J6ES40 Datasheet (PDF)
Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .
History: IRG4BC20KD | NGD15N41A | IGB20N65S5 | CM150DU-12F | NCE40ED75VT | DM2G75SH6N | JNG20T60PS
History: IRG4BC20KD | NGD15N41A | IGB20N65S5 | CM150DU-12F | NCE40ED75VT | DM2G75SH6N | JNG20T60PS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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