MG15Q6ES51 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG15Q6ES51
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 145
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 25
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 70
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MG15Q6ES51 - IGBT
MG15Q6ES51 Datasheet (PDF)
mg15q6es50a.pdf
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