MG17100S-BN4MM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG17100S-BN4MM
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 620 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 150 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Encapsulados: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MG17100S-BN4MM IGBT
- Selección ⓘ de transistores por parámetros
MG17100S-BN4MM datasheet
mg17100d-bn4mm.pdf
Power Module 1700V 100A IGBT Module RoHS MG17100D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con
mg17150d-bn4mm.pdf
Power Module 1700V 150A IGBT Module RoHS MG17150D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con
Otros transistores... MG150Q2YS50 , MG150Q2YS51 , MG150Q2YS65H , MG15J6ES40 , MG15Q6ES42 , MG15Q6ES50A , MG15Q6ES51 , MG17100D-BN4MM , GT45F122 , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM .
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
d313 transistor equivalent | 2sb827 | c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet