MG17100S-BN4MM - аналоги и описание IGBT

 

MG17100S-BN4MM - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG17100S-BN4MM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 620 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 150 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 40 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG17100S-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG17100S-BN4MM даташит

 ..1. Size:1366K  littelfuse
 mg17100s-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17100S-BN4MM

 7.1. Size:1385K  littelfuse
 mg17100d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17100S-BN4MM

Power Module 1700V 100A IGBT Module RoHS MG17100D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

 9.1. Size:1431K  littelfuse
 mg17150d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17100S-BN4MM

Power Module 1700V 150A IGBT Module RoHS MG17150D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

Другие IGBT... MG150Q2YS50 , MG150Q2YS51 , MG150Q2YS65H , MG15J6ES40 , MG15Q6ES42 , MG15Q6ES50A , MG15Q6ES51 , MG17100D-BN4MM , GT45F122 , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM .

History: IXST15N120B

 

 

 

 

↑ Back to Top
.