MG17200D-BN4MM Todos los transistores

 

MG17200D-BN4MM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG17200D-BN4MM

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de MG17200D-BN4MM IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MG17200D-BN4MM datasheet

 ..1. Size:1376K  littelfuse
 mg17200d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module 1700V 200A IGBT Module RoHS MG17200D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

 9.1. Size:1417K  littelfuse
 mg17225wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module 1700V 225A IGBT Module RoHS MG17225WB-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications AC motor control Inverter and power suppli

Otros transistores... MG150Q2YS65H , MG15J6ES40 , MG15Q6ES42 , MG15Q6ES50A , MG15Q6ES51 , MG17100D-BN4MM , MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , JT075N065WED , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 .

History: MG17100D-BN4MM | FGH15T120SMD | FGH20N60SFDTU-F085

 

 

 

 

↑ Back to Top
.