Справочник IGBT. MG17200D-BN4MM

 

MG17200D-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG17200D-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG17200D-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG17200D-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1376K  littelfuse
 mg17200d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module1700V 200A IGBT ModuleRoHSMG17200D-BN4MMFeatures IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplications High frequency switching Motion/servo con

 9.1. Size:1417K  littelfuse
 mg17225wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module1700V 225A IGBT ModuleRoHSMG17225WB-BN4MMFeatures IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplications AC motor control Inverter and power suppli

Другие IGBT... MG150Q2YS65H , MG15J6ES40 , MG15Q6ES42 , MG15Q6ES50A , MG15Q6ES51 , MG17100D-BN4MM , MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , TGAN60N60F2DS , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , MG17450WB-BN4MM , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 .

History: IXGH16N60C2D1 | APT30GT60BRD | STGWT80V60F | IXGH35N120B | STGWT20V60F

 

 
Back to Top

 


 
.