Справочник IGBT. MG17200D-BN4MM

 

MG17200D-BN4MM Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG17200D-BN4MM
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.4 V
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора, typ: 2300 nC
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG17200D-BN4MM

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG17200D-BN4MM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1376K  littelfuse
 mg17200d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module1700V 200A IGBT ModuleRoHSMG17200D-BN4MMFeatures IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplications High frequency switching Motion/servo con

 9.1. Size:1417K  littelfuse
 mg17225wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module1700V 225A IGBT ModuleRoHSMG17225WB-BN4MMFeatures IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplications AC motor control Inverter and power suppli

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , IKW30N60H3 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: IXXH30N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.