MG17200D-BN4MM - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG17200D-BN4MM

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 80 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG17200D-BN4MM

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG17200D-BN4MM даташит

 ..1. Size:1376K  littelfuse
 mg17200d-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module 1700V 200A IGBT Module RoHS MG17200D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

 9.1. Size:1417K  littelfuse
 mg17225wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17200D-BN4MM

Power Module 1700V 225A IGBT Module RoHS MG17225WB-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications AC motor control Inverter and power suppli

Другие IGBT... MG150Q2YS65H, MG15J6ES40, MG15Q6ES42, MG15Q6ES50A, MG15Q6ES51, MG17100D-BN4MM, MG17100S-BN4MM, MG17150D-BN4MM, JT075N065WED, MG17225WB-BN4MM, MG17300D-BN4MM, MG17300WB-BN4MM, MG17450WB-BN4MM, MG1750S-BN4MM, MG1775S-BN4MM, MG200J2YS50, MG200J6ES60