MG17300WB-BN4MM Todos los transistores

 

MG17300WB-BN4MM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG17300WB-BN4MM

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1650 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 375 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS

Encapsulados: MODULE

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MG17300WB-BN4MM datasheet

 0.1. Size:1418K  littelfuse
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MG17300WB-BN4MM

Power Module 1700V 300A IGBT Module RoHS MG17300WB-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications AC motor control Inverter and power suppli

 7.1. Size:1390K  littelfuse
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MG17300WB-BN4MM

Power Module 1700V 300A IGBT Module RoHS MG17300D-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications High frequency switching Motion/servo con

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