MG17450WB-BN4MM - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG17450WB-BN4MM
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MG17450WB-BN4MM Datasheet (PDF)
mg17450wb-bn4mm.pdf

Power Module1700V 450A IGBT ModuleRoHSMG17450WB-BN4MMFeatures IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology)technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficientApplications AC motor control Inverter and power suppli
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History: FGPF4565 | SM2G100US60 | IRG4BC30W-S
History: FGPF4565 | SM2G100US60 | IRG4BC30W-S



Liste
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