MG17450WB-BN4MM Todos los transistores

 

MG17450WB-BN4MM IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MG17450WB-BN4MM

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 2250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 600 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 80 nS

Encapsulados: MODULE

 Búsqueda de reemplazo de MG17450WB-BN4MM IGBT

- Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MG17450WB-BN4MM datasheet

 0.1. Size:1421K  littelfuse
 mg17450wb-bn4mm.pdf pdf_icon

MG17450WB-BN4MM

Power Module 1700V 450A IGBT Module RoHS MG17450WB-BN4MM Features IGBT3 CHIP(1700V DIODE CHIP(1700V Trench+Field Stop EMCON 3 technology) technology) Free wheeling diodes Low turn-off losses, short with fast and soft reverse tail current recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Applications AC motor control Inverter and power suppli

Otros transistores... MG15Q6ES51 , MG17100D-BN4MM , MG17100S-BN4MM , MG17150D-BN4MM , MG17200D-BN4MM , MG17225WB-BN4MM , MG17300D-BN4MM , MG17300WB-BN4MM , IRGP4066D , MG1750S-BN4MM , MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 .

History: IRGB4620DPBF | IRGB4B60KD1PBF | FGH75T65SHDTL4 | FGD3040G2-F085C

 

 

 

 

↑ Back to Top
.