MG200Q2YS65H Todos los transistores

 

MG200Q2YS65H - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG200Q2YS65H
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1310 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 200 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

 Búsqueda de reemplazo de MG200Q2YS65H IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

MG200Q2YS65H Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  toshiba
mg200q2ys65h.pdf pdf_icon

MG200Q2YS65H

MG200Q2YS65H TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT MG200Q2YS65H High Power & High Speed Switching Unit: mmApplications High input impedance Enhancement-mode The electrodes are isolated from case. Equivalent Circuit E1 E2 C1 E2JEDEC G1 E1/C2 G2 JEITA TOSHIBA 2-109C4A Weight: 430 g (typ.) Maximum Ratings (Tc == 25C) ==Character

 5.1. Size:112K  toshiba
mg200q2ys40.pdf pdf_icon

MG200Q2YS65H

 5.2. Size:337K  toshiba
mg200q2ys50.pdf pdf_icon

MG200Q2YS65H

 8.1. Size:120K  toshiba
mg200q1us51.pdf pdf_icon

MG200Q2YS65H

Otros transistores... MG1775S-BN4MM , MG200J2YS50 , MG200J6ES60 , MG200J6ES61 , MG200Q1US41 , MG200Q1US51 , MG200Q2YS40 , MG200Q2YS50 , TGPF30N43P , MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 , MG300J2YS40 .

History: APT102GA60L | MIO1500-25E10 | APTGF90DH60T | AOTF15B60D | SG12N06T | OST40N65HXF | SII100N12

 

 
Back to Top

 


 
.