MG300J2YS40 Todos los transistores

 

MG300J2YS40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG300J2YS40
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1200 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 300 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG300J2YS40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  toshiba
mg300j2ys40.pdf pdf_icon

MG300J2YS40

 5.1. Size:300K  toshiba
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MG300J2YS40

 9.1. Size:179K  toshiba
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MG300J2YS40

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdf pdf_icon

MG300J2YS40

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

Otros transistores... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: MMG150CE065PD6TC | IXGR40N60CD1 | IGZ50N65H5 | NCE40TD120BT | IXGP30N60C3D4 | IRG4MC40U | VS-GB400AH120N

 

 
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