MG300J2YS40 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: MG300J2YS40  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для MG300J2YS40

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG300J2YS40 даташит

 ..1. Size:180K  toshiba
mg300j2ys40.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 5.1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 9.1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... MG200Q2YS65H, MG25J6ES40, MG25N2YS1, MG25Q1BS11, MG25Q2YS40, MG25Q6ES42, MG25Q6ES50A, MG25Q6ES51, NGTB75N65FL2, MG300J2YS50, MG300N1US1, MG300Q1US11, MG300Q2YS40, MG300Q2YS50, MG50J1BS11, MG50J2YS50, MG50J6ES50