MG300J2YS40 - аналоги и описание IGBT

 

MG300J2YS40 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MG300J2YS40

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MG300J2YS40

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG300J2YS40 даташит

 ..1. Size:180K  toshiba
mg300j2ys40.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 5.1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 9.1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... MG200Q2YS65H , MG25J6ES40 , MG25N2YS1 , MG25Q1BS11 , MG25Q2YS40 , MG25Q6ES42 , MG25Q6ES50A , MG25Q6ES51 , NGTB75N65FL2 , MG300J2YS50 , MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , MG50J2YS50 , MG50J6ES50 .

History: SMBH1G200US60 | MG300N1US1 | SKM400GA124D | DGTD120T40S1PT | DGTD120T25S1PT | FGA6540WDF | SMBH1G75US60

 

 

 

 

↑ Back to Top
.