Справочник IGBT. MG300J2YS40

 

MG300J2YS40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG300J2YS40
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1200 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 300 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.7 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG300J2YS40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:180K  toshiba
mg300j2ys40.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 5.1. Size:300K  toshiba
mg300j2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 9.1. Size:179K  toshiba
mg300n1us1.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

 9.2. Size:83K  toshiba
mg300q2ys50.pdfpdf_icon

MG300J2YS40

MG300Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG300Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max.) f Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max.) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: CM75MXA-24S | VS-GB400AH120N | MMG150CE065PD6TC | IRG4MC40U

 

 
Back to Top

 


 
.