MG50Q1BS11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG50Q1BS11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MG50Q1BS11 - IGBT
MG50Q1BS11 Datasheet (PDF)
mg50q2ys50.pdf
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mg50q2ys40.pdf
MG50Q2YS40 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS40 High Power Switching Applications. Unit in mmMotor Control Applications. High input impedance High speed: tf = 0.5s (max.) trr = 0.5s (max.) Low saturation voltage : V = 4.0V (max.) CE(sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isola
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