MG50Q2YS40 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG50Q2YS40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Encapsulados: MODULE
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- Selección ⓘ de transistores por parámetros
MG50Q2YS40 datasheet
mg50q2ys40.pdf
MG50Q2YS40 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS40 High Power Switching Applications. Unit in mm Motor Control Applications. High input impedance High speed tf = 0.5 s (max.) trr = 0.5 s (max.) Low saturation voltage V = 4.0V (max.) CE(sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isola
mg50q2ys50.pdf
MG50Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS50 High Power Switching Applications Unit mm Motor Control Applications High input impedance High speed t = 0.3 s (Max) f @Inductive load Low saturation voltage V = 3.6V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.
Otros transistores... MG300N1US1 , MG300Q1US11 , MG300Q2YS40 , MG300Q2YS50 , MG50J1BS11 , MG50J2YS50 , MG50J6ES50 , MG50Q1BS11 , TGD30N40P , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 .
History: SMBH1G100US120 | 6MBP200VEA060-50
History: SMBH1G100US120 | 6MBP200VEA060-50
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