MG50Q2YS50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG50Q2YS50
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 400
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 1200
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 78
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 2.8
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 150
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 50
Paquete / Cubierta: MODULE
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MG50Q2YS50 Datasheet (PDF)
mg50q2ys50.pdf
MG50Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3s (Max) f @Inductive load Low saturation voltage : V = 3.6V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isolated from case.
mg50q2ys40.pdf
MG50Q2YS40 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG50Q2YS40 High Power Switching Applications. Unit in mmMotor Control Applications. High input impedance High speed: tf = 0.5s (max.) trr = 0.5s (max.) Low saturation voltage : V = 4.0V (max.) CE(sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package. The electrodes are isola
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Liste
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