MG75J1ZS40 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG75J1ZS40 📄📄
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Encapsulados: MODULE
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MG75J1ZS40 datasheet
mg75j1zs40.pdf
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mg75j1bs11.pdf
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mmg75j120uz.pdf
MMG75J120UZ 1200V 75A IGBT Module April 2015 Version 01 RoHS Compliant PRODUCT FEATURES High Short Circuit Capability Free wheeling diodes with fast and soft reverse recovery VCE(sat) with positive temperature coefficient Ultra Low Loss,High Ruggedness Popular SOT-227 Package APPLICATIONS Invertor Convertor Welder SMPS and UPS Induction Heating IGBT
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