MG75J2YS50 Todos los transistores

 

MG75J2YS50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG75J2YS50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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MG75J2YS50 Datasheet (PDF)

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MG75J2YS50

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MG75J2YS50

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit: mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed : t = 0.30s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage : V = 2.70V

Otros transistores... MG50Q2YS40 , MG50Q2YS50 , MG50Q6ES40 , MG50Q6ES50A , MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MBQ50T65FESC , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , MG75Q2YS40 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH .

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