MG75J2YS50 Todos los transistores

 

MG75J2YS50 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MG75J2YS50
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 390 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MG75J2YS50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:130K  toshiba
mg75j2ys50.pdf pdf_icon

MG75J2YS50

 6.1. Size:192K  toshiba
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MG75J2YS50

 9.1. Size:300K  toshiba
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MG75J2YS50

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MG75J2YS50

MG75J6ES50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75J6ES50 Unit: mm High Power Switching Applications Motor Control Applications The electrodes are isolated from case. High input impedance. 6 IGBTs built into 1 package. Enhancement-mode. High speed : t = 0.30s (Max) (I = 75A) f C t = 0.15s (Max) (I = 75A) rr F Low saturation voltage : V = 2.70V

Otros transistores... AP05G120SW-HF , TSG10N120CN , AP05G120NSW-HF , AP20GT60SW , AP20GT60W , CI15T60 , MMIX4B12N300 , NGD8205A , IHW20N135R5 , IXYP8N90C3D1 , APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W .

History: IKY75N120CS6 | BSM300GB120DLC | IXXH50N60C3 | 6MBP15VAA120-50 | IXBX28N300HV | MMG400D060B6TC | IXGA48N60C3

 

 
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