MG75Q2YS40 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MG75Q2YS40
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 75 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 300 nS
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MG75Q2YS40 Datasheet (PDF)
mg75q2ys50.pdf
MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca
Otros transistores... MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , RJH60F7BDPQ-A0 , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , MIG50Q201H .
History: IXBH14N300HV | VS-GT105LA120UX | SKM300GAR063D | FGW40N120H | IXGX50N60A2D1 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM
History: IXBH14N300HV | VS-GT105LA120UX | SKM300GAR063D | FGW40N120H | IXGX50N60A2D1 | SKM400GA124D | MG06200S-BN4MM
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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