Справочник IGBT. MG75Q2YS40

 

MG75Q2YS40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75Q2YS40
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для MG75Q2YS40

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MG75Q2YS40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  toshiba
 mg75q2ys40.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

 5.1. Size:114K  toshiba
 mg75q2ys42.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

 6.1. Size:262K  toshiba
 mg75q2ys50.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca

 6.2. Size:338K  toshiba
 mg75q2ys51.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... MG600Q1US51 , MG75J1BS11 , MG75J1ZS40 , MG75J1ZS50 , MG75J2YS50 , MG75J2YS91 , MG75J6ES50 , MG75Q1BS11 , IRG4PC40W , MG75Q2YS42 , MG75Q2YS50 , MG75Q2YS51 , MIEB100W1200DPFTEH , MIEB101W1200DPFEH , MIG10Q806H , MIG10Q806HA , MIG50Q201H .

History: IRG4IBC30W | IKP08N65H5 | APTGT200U170D4 | SIGC03T60SNC

 

 
Back to Top

 


 
.