Справочник IGBT. MG75Q2YS40

 

MG75Q2YS40 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MG75Q2YS40
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 75 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 300 nS
   Тип корпуса: MODULE
     - подбор IGBT транзистора по параметрам

 

MG75Q2YS40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:120K  toshiba
 mg75q2ys40.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

 5.1. Size:114K  toshiba
 mg75q2ys42.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

 6.1. Size:262K  toshiba
 mg75q2ys50.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

MG75Q2YS50 TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT MG75Q2YS50 High Power Switching Applications Unit: mmMotor Control Applications High input impedance High speed : t = 0.3 s (Max) f @Iinductive load Low saturation voltage : V = 3.6 V (Max) CE (sat) Enhancement-mode Includes a complete half bridge in one package The electrodes are Isolated from ca

 6.2. Size:338K  toshiba
 mg75q2ys51.pdf pdf_icon

MG75Q2YS40

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... APT20GN60BG , APT20GN60KG , APT20GN60SG , AOK20B60D1 , F3L30R06W1E3_B11 , WGW15G120N , WGW15G120W , IRG4MC50U , GT30F131 , AOB10B60D , AOK10B60D , AOT10B60D , NGB8207AB , NGB8207B , AOB15B60D , IRGSL8B60K , AOK15B60D .

History: HGT1S7N60B3D | BUK866-400IZ | VS-20MT120UFAPBF | IQS2B57N120K4 | FGHL40S65UQ | IXBT16N170A

 

 
Back to Top

 


 
.