2PG402 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PG402  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 10 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 8 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 130 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1400 pF

Encapsulados: DPAK

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2PG402 datasheet

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2PG402

IGBTs 2PG402 Insulated Gate Bipolar Transistor Features unit mm High breakdown voltage VCES = 400V 6.5 0.1 Allowing to control large current IC(peak) = 130A 5.3 0.1 4.35 0.1 Housed in the surface mounting package 3.0 0.1 Applications For flash-light for use in a camera Absolute Maximum Ratings (TC = 25 C) 1.0 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.1 4.6 0.1 0.

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2PG402

IGBTs 2PG401 Insulated Gate Bipolar Transistor Features unit mm High breakdown voltage VCES = 400V Allowing to control large current IC(peak) = 130A 7.0 0.3 3.5 0.2 Allowing to provide with the surface mounting package 3.0 0.2 Applications For flash-light for use in a camera 1.1 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.4 0.1 Absolute Maximum Ratings (TC = 25 C) 2.3 0.2 Paramet

Otros transistores... HCKW75N65BH2, HCKW75N65FH2, 2N6975, 2N6976, 2N6977, 2N6978, 2PG352, 2PG401, SGT60U65FD1PT, 2SH11, 2SH12, 2SH13, 2SH14, 2SH15, 2SH16, 2SH17, 2SH18