2PG402 - аналоги и описание IGBT

 

2PG402 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: 2PG402

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 10 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 8 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 5 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 130 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1400 pF

Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для 2PG402

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

2PG402 даташит

 ..1. Size:31K  1
 2pg402.pdf pdf_icon

2PG402

IGBTs 2PG402 Insulated Gate Bipolar Transistor Features unit mm High breakdown voltage VCES = 400V 6.5 0.1 Allowing to control large current IC(peak) = 130A 5.3 0.1 4.35 0.1 Housed in the surface mounting package 3.0 0.1 Applications For flash-light for use in a camera Absolute Maximum Ratings (TC = 25 C) 1.0 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.5 0.1 4.6 0.1 0.

 9.1. Size:19K  1
 2pg401.pdf pdf_icon

2PG402

IGBTs 2PG401 Insulated Gate Bipolar Transistor Features unit mm High breakdown voltage VCES = 400V Allowing to control large current IC(peak) = 130A 7.0 0.3 3.5 0.2 Allowing to provide with the surface mounting package 3.0 0.2 Applications For flash-light for use in a camera 1.1 0.1 0.85 0.1 0.75 0.1 0.4 0.1 Absolute Maximum Ratings (TC = 25 C) 2.3 0.2 Paramet

Другие IGBT... HCKW75N65BH2 , HCKW75N65FH2 , 2N6975 , 2N6976 , 2N6977 , 2N6978 , 2PG352 , 2PG401 , SGT60U65FD1PT , 2SH11 , 2SH12 , 2SH13 , 2SH14 , 2SH15 , 2SH16 , 2SH17 , 2SH18 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.