MSAGA11F120D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSAGA11F120D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
Encapsulados: DIE
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MSAGA11F120D datasheet
msaga11f120d.pdf
2830 S. Fairview Street Santa Ana, CA 92704 MSAGA11F120D Phone (714) 979-8220 Fast IGBT Die for Implantable Fax (714) 559-5989 Cardio Defibrillator Applications DESCRIPTION N-Channel enhancement mode high density IGBT die Passivation Polyimide, 20 um, over Silicon Nitride, .8um Emitter Metallization Al/1%Si for aluminum wire bonding, 3.2 um typical. 55 Collect
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History: MP6753
History: MP6753
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