MSAGA11F120D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MSAGA11F120D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 125 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 11 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.1 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 120 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 60 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 60 nC
Paquete / Cubierta: DIE
Búsqueda de reemplazo de MSAGA11F120D - IGBT
MSAGA11F120D Datasheet (PDF)
msaga11f120d.pdf
2830 S. Fairview StreetSanta Ana, CA 92704MSAGA11F120DPhone: (714) 979-8220Fast IGBT Die for ImplantableFax: (714) 559-5989Cardio DefibrillatorApplications DESCRIPTION: N-Channel enhancement mode high density IGBT die Passivation: Polyimide, 20 um, over Silicon Nitride, .8um Emitter Metallization: Al/1%Si for aluminum wire bonding, 3.2 um typical.55 Collect
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Liste
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