PS21265-AP - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PS21265-AP
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 51.2 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 ℃
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de PS21265-AP - IGBT
PS21265-AP Datasheet (PDF)
ps21265-ap.pdf
PS21265-PPS21265-APPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Intellimod Modulewww.pwrx.comDual-In-Line IntelligentPower Module20 Amperes/600 VoltsDETAILAH "A"HEATSINK SIDE1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21MPNB KWQC22 23 24 25 26 LJDETAIL "A"G G G FERDDETAIL "B"DETAIL "C"DETAIL "D
ps21265-p.pdf
MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21265-P/APPS21265-P/APTRANSFER-MOLD TYPETRANSFER-MOLD TYPEINSULATED TYPEINSULATED TYPEPS21265INTEGRATED POWER FUNCTIONS600V/20A low-loss 5th generation IGBT inverter bridge forthree phase DC-to-AC power conversionINTEGRATED DRI
Otros transistores... MSAGA11F120D , MUBW30-12A6 , NXH80T120L2Q0 , NXH80T120L2Q0PG , PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , IKW30N60H3 , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2