PS21265-AP Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: PS21265-AP
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 51.2 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 25 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.55 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 125 ℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для PS21265-AP
PS21265-AP Datasheet (PDF)
ps21265-ap.pdf

PS21265-PPS21265-APPowerex, Inc., 173 Pavilion Lane, Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 Intellimod Modulewww.pwrx.comDual-In-Line IntelligentPower Module20 Amperes/600 VoltsDETAILAH "A"HEATSINK SIDE1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21MPNB KWQC22 23 24 25 26 LJDETAIL "A"G G G FERDDETAIL "B"DETAIL "C"DETAIL "D
ps21265-p.pdf

MITSUBISHI SEMICONDUCTOR MITSUBISHI SEMICONDUCTOR PS21265-P/APPS21265-P/APTRANSFER-MOLD TYPETRANSFER-MOLD TYPEINSULATED TYPEINSULATED TYPEPS21265INTEGRATED POWER FUNCTIONS600V/20A low-loss 5th generation IGBT inverter bridge forthree phase DC-to-AC power conversionINTEGRATED DRI
Другие IGBT... MSAGA11F120D , MUBW30-12A6 , NXH80T120L2Q0 , NXH80T120L2Q0PG , PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , IHW20N135R5 , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , PSTG50HST12 , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN .
History: IXGH32N60BU1
History: IXGH32N60BU1



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c3198 transistor | irfb3607pbf datasheet | 60n60 | 2n5485 equivalent | 2sa1941 | 2sc485 | 2sd287 | 2sd438