PSTG50HST12 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PSTG50HST12  📄📄 

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 72 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 17 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 340 pF

Encapsulados: MODULE

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de PSTG50HST12 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

PSTG50HST12 datasheet

 ..1. Size:136K  powersem
 pstg50hst12.pdf pdf_icon

PSTG50HST12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 50HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 72 A IC75 = 50 A ICM = 150 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s I N H M B G A Features Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25 C to 150 C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB

Otros transistores... PDMB200E6, PM100CBS060, PM15CMA060, PM25CL1A120, PS21265-AP, PS21265-P, PSTG25HDT12, PSTG25HTT12, FGPF4633, PSTG75HST12, GT15Q102, MSG50N350FH, NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF, GT40QR21, IHW15N120R2