Справочник IGBT. PSTG50HST12

 

PSTG50HST12 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: PSTG50HST12
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 72 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 17 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 340 pF
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для PSTG50HST12

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

PSTG50HST12 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  powersem
 pstg50hst12.pdf pdf_icon

PSTG50HST12

ECO-PACTM 1 Powerline N-Channel PSTG 50HST12 Trench Gate- VCES = 1200 V IGBT Module VCE(sat) = 1.9 V IC25 = 72 A IC75 = 50 A ICM = 150 A Preliminary Data Sheet tSC = 10 s I NHMB GAFeatures Symbol Test Conditions Maximum Ratings TVJ = 25C to 150C 1200 V VCES Package with DCB ceramic base continous V VGES 20 plate and soldering pins for PCB

Другие IGBT... PDMB200E6 , PM100CBS060 , PM15CMA060 , PM25CL1A120 , PS21265-AP , PS21265-P , PSTG25HDT12 , PSTG25HTT12 , CRG15T120BNR3S , PSTG75HST12 , GT15Q102 , MSG50N350FH , NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 .

 

 
Back to Top

 


 
.