IXBH9N140 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBH9N140
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 100 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 9 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 36 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 44 nC
Paquete / Cubierta: TO247AD
Búsqueda de reemplazo de IXBH9N140 IGBT
IXBH9N140 Datasheet (PDF)
ixbh9n140 ixbh9n160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160
ixbh9n140-160.pdf
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160
ixbh9n160g.pdf
IXBH 9N160GHigh Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 AMonolithic Bipolar VCES = 1600 VMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.tfi = 70 nsN-Channel, Enhancement ModeCTO-247 ADMOSFET compatibleGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTMVCES TJ = 25C to 150C 1600 V- replaces hig
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