IXBH9N140 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXBH9N140
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 100
Tensión colector-emisor (Vce): 1400
Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 4.9
Tensión emisor-compuerta (Veg): 20
Corriente del colector DC máxima (Ic): 9
Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 150
Tiempo de elevación: 60
Capacitancia de salida (Cc), pF: 36
Empaquetado / Estuche: TO247AD
Búsqueda de reemplazo de IXBH9N140 - IGBT
IXBH9N140 Datasheet (PDF)
1.1. ixbh9n140-160.pdf Size:55K _ixys
High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 • International standard package VCES TJ = 25°C to 150°C 1400 160
3.1. ixbh9n160g.pdf Size:76K _ixys
IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features • High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25°C to 150°C 1600 V - replaces hig
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