IXBH9N140 - аналоги и описание IGBT

 

IXBH9N140 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование: IXBH9N140
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
   Тип корпуса: TO247AD
 

 Аналог (замена) для IXBH9N140

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

Технические параметры IXBH9N140

 ..1. Size:62K  1
 ixbh9n140 ixbh9n160.pdf pdf_icon

IXBH9N140

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160

 0.1. Size:55K  ixys
 ixbh9n140-160.pdf pdf_icon

IXBH9N140

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160

 7.1. Size:76K  ixys
 ixbh9n160g.pdf pdf_icon

IXBH9N140

IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V - replaces hig

Другие IGBT... NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , RJH60F7BDPQ-A0 , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF .

History: HGTP5N120CN

 

 
Back to Top

 


 
.