IXBH9N140 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование: IXBH9N140  📄📄 

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF

Тип корпуса: TO247AD

  📄📄 Копировать 

 Аналог (замена) для IXBH9N140

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXBH9N140 даташит

 ..1. Size:62K  1
 ixbh9n140 ixbh9n160.pdf pdf_icon

IXBH9N140

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160

 0.1. Size:55K  ixys
 ixbh9n140-160.pdf pdf_icon

IXBH9N140

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 V Monolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 A MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 ns C TO-247 AD G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features 9N140 9N160 International standard package VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 160

 7.1. Size:76K  ixys
 ixbh9n160g.pdf pdf_icon

IXBH9N140

IXBH 9N160G High Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 A Monolithic Bipolar VCES = 1600 V MOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ. tfi = 70 ns N-Channel, Enhancement Mode C TO-247 AD MOSFET compatible G G C C (TAB) E E G = Gate, C = Collector, E = Emitter, TAB = Collector Symbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTM VCES TJ = 25 C to 150 C 1600 V - replaces hig

Другие IGBT... NGD8201AN, FMG2G400US60, BT40T60ANF, GT40QR21, IHW15N120R2, IXBH15N140, IXBH15N160, IXBH15N170, RJH60F7BDPQ-A0, IXBH9N160, IXBT15N170, FGH40T65SHDF_F155, FGPF30N45TTU, IGF40T120F, MBQ40T65FDSC, 2PG011, BT60N60ANF