IXBH9N140 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXBH9N140
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1400 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 9 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.9 V @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 60 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 36 pF
Тип корпуса: TO247AD
Аналог (замена) для IXBH9N140
IXBH9N140 Datasheet (PDF)
ixbh9n140 ixbh9n160.pdf

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160
ixbh9n140-160.pdf

High Voltage BIMOSFETTM IXBH 9N140 VCES = 1400/1600 VMonolithic Bipolar IXBH 9N160 IC25 = 9 AMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.N-Channel, Enhancement Mode tfi = 40 nsCTO-247 ADGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features9N140 9N160 International standard packageVCES TJ = 25C to 150C 1400 160
ixbh9n160g.pdf

IXBH 9N160GHigh Voltage BIMOSFETTM IC25 = 9 AMonolithic Bipolar VCES = 1600 VMOS Transistor VCE(sat) = 4.9 V typ.tfi = 70 nsN-Channel, Enhancement ModeCTO-247 ADMOSFET compatibleGGCC (TAB)EEG = Gate, C = Collector,E = Emitter, TAB = CollectorSymbol Conditions Maximum Ratings Features High Voltage BIMOSFETTMVCES TJ = 25C to 150C 1600 V- replaces hig
Другие IGBT... NGD8201AN , FMG2G400US60 , BT40T60ANF , GT40QR21 , IHW15N120R2 , IXBH15N140 , IXBH15N160 , IXBH15N170 , STGB10NB37LZ , IXBH9N160 , IXBT15N170 , FGH40T65SHDF_F155 , FGPF30N45TTU , IGF40T120F , MBQ40T65FDSC , 2PG011 , BT60N60ANF .
History: SRE80N065FSUD6
History: SRE80N065FSUD6



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c815 transistor | ksa1381 equivalent | 2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet